Tel
0086-516-83913580
E-mel
[e-mel dilindungi]

Kekonduksian Terma Tinggi DPAK (TO-252AA) Diod SiC

Penerangan Ringkas:

Struktur Pembungkusan: DPAK (TO-252AA)

Pengenalan: YUNYI DPAK (TO-252AA) SiC Diod, yang diperbuat daripada bahan silikon karbida, mempunyai kekonduksian haba yang tinggi dan keupayaan yang kuat untuk memindahkan haba, lebih kondusif untuk meningkatkan ketumpatan kuasa peranti kuasa, jadi ia lebih sesuai untuk bekerja dalam persekitaran suhu tinggi.Kekuatan medan pecahan tinggi diod SiC meningkatkan voltan tahan dan mengurangkan saiz, dan kekuatan medan pecahan elektronik yang tinggi meningkatkan voltan pecahan peranti kuasa semikonduktor.Pada masa yang sama, disebabkan oleh peningkatan kekuatan medan pecahan elektron, dalam hal meningkatkan ketumpatan penembusan kekotoran, jalur lebar kawasan hanyut peranti kuasa diod SiC boleh dikurangkan, supaya saiz peranti kuasa boleh dikurangkan.


Butiran Produk

Memantau masa tindak balas

Jarak mengukur

Tag Produk

Kelebihan Diod SiC YUNYI DPAK (TO-252AA):

1. Kos yang kompetitif dengan kualiti peringkat tinggi

2. Kecekapan pengeluaran yang tinggi dengan masa pendahuluan yang singkat

3. Saiz kecil, membantu mengoptimumkan ruang papan litar

4. Stabil dan boleh dipercayai di bawah pelbagai persekitaran semula jadi

5. Cip kerugian rendah yang dibangunkan sendiri

KE-252AA

Prosedur Pengeluaran Cip:

1. Pencetakan Secara Mekanikal(Percetakan wafer automatik yang sangat tepat)

2. Goresan Pertama Automatik (Peralatan Goresan Automatik,CPK>1.67)

3. Ujian Kekutuban Automatik(Ujian Kekutuban Tepat)

4. Pemasangan Automatik (Perhimpunan Tepat Automatik yang dibangunkan sendiri)

5. Pematerian (Perlindungan dengan Campuran Nitrogen & Pematerian Vakum Hidrogen )

6. Goresan Kedua Automatik (Gresan Kedua Automatik dengan Air Ultra-tulen)

7. Pelekatan Automatik (Pelekatan Seragam & Pengiraan Tepat Direalisasikan oleh Peralatan Pelekatan Tepat Automatik)

8. Ujian Terma Automatik (Pemilihan Automatik oleh Penguji Terma)

9. Ujian Automatik (Penguji Pelbagai Fungsi)

贴片检测
芯片检测

Parameter produk:

Nombor Bahagian Pakej VRWM
V
IO
A
IFZM
A
IR
μa
VF
V
ZICRD5650 DPAK 650 5 60 60 2
ZICRD6650 DPAK 650 6 60 50 2
Z3D06065E DPAK 650 6 70 3(0.03 biasa) 1.7(1.5 tipikal)
ZICRD10650CT DPAK 650 10 60 60 1.7
ZICRD10650 DPAK 650 10 110 100 1.7
ZICRD101200 DPAK 1200 10 110 100 1.8
ZICRD12600 DPAK 600 12 50 150 1.7
ZICRD12650 DPAK 650 12 50 150 1.7
Z3D03065E DPAK 650 3 46 2(0.03 biasa) 1.7(1.4 tipikal)
Z3D10065E DPAK 650 10 115 40(0.7 biasa) 1.7(1.45 tipikal)
Z4D04120E DPAK 1200 4 46 200(20 biasa) 1.8(1.5 tipikal)
Z4D05120E DPAK 1200 5 46 200(20 biasa) 1.8(1.65 tipikal)
Z4D02120E DPAK 1200 2 44 50 (10 biasa) 1.8(1.5 tipikal)
Z4D10120E DPAK 1200 10 105 200(30 biasa) 1.8(1.5 tipikal)
Z4D08120E DPAK 1200 8 64 200(35 biasa) 1.8(1.6 tipikal)
Z3D10065E2 DPAK 650 10 70 (setiap kaki) 8(0.002 tipikal)(setiap kaki) 1.7(1.5 tipikal)(setiap kaki)

 


  • Sebelumnya:
  • Seterusnya:

  •